产品分类 |
分离式半导体产品 >> FET - 单 |
NTD2955-1G PDF |
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产品目录绘图 |
MOSFET IPAK-3
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标准包装 |
75 |
系列 |
- |
FET 型 |
MOSFET P 通道,金属氧化物
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FET 特点 |
标准
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漏极至源极电压(Vdss) |
60V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
12A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
180 毫欧 @ 6A,10V
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Id 时的 Vgs(th)(最大) |
4V @ 250µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs |
30nC @ 10V
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输入电容 (Ciss) @ Vds |
750pF @ 25V
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功率 - 最大 |
55W
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安装类型 |
通孔
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封装/外壳 |
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
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供应商设备封装 |
I-Pak
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包装 |
管件
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产品目录页面 |
1558 (CN2011-ZH PDF)
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其它名称 |
NTD2955-1G-ND NTD2955-1GOS
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